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由於全球記憶體廠自2015年以降，並無投入高額鉅資擴建新晶圓廠的動作，因此，雖然近年來在個人電腦、智慧型手機等終端應用銷售動能趨緩，不過，因內建的DRAM或NAND Flash搭載容量持續提升，也讓2016年下半年記憶體市場出現缺貨壓力，而2017年看來記憶體仍將缺很大，金雞年對記憶體廠來說將是個好年冬。

DRAM價格由2016年中開始起漲，至2016年底價格已創一年來新高，2017年價格續漲趨勢明確，對DRAM廠南亞科、華邦電來說，營收及獲利將具成長動能。至於包括創見、威剛、宇瞻、品安等模組廠來說，獲利成長動能強勁。

根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及DRAM搭載量不斷攀升，2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的秒殺產出，轉為行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型DRAM價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚。

2016年第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Galaxy Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助DRAM消化量與價格的上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續增加，更讓第四季標準型DRAM合約價季漲幅逾30％，包括三星、SK海力士等韓系業者獲利明顯回升，第三大廠美光則轉虧為盈，台灣業者同樣受惠。

南亞科受惠於標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，201冬日活動6年第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，2017年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。

平均銷售單價可望大漲

華邦電2016年第三季營收小幅成長7％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型記憶體第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上，2017年則因38奈米製程微縮加快，獲利將見強勁成長動能。

集邦最新研究顯示，展望2017年第一季，受惠於中國農曆新年的備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DRAM模組均價將往20美元邁進，省錢預估季漲幅約15％，其餘如伺服器、行動式、利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。在供給端沒有進一步增加產能的情況下，供貨吃緊的態勢仍將延續，2017年DRAM的平均銷售單價較今年將有可觀的成長。

在NAND Flash市場部分，DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND轉進3D NAND所導致的整體產出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。

2016年第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。

法人指出，包括華邦電、旺宏等低容量NAND Flash才剛量產，對市場影響不大，但漲價效應下仍有機會受惠。至於國內主要NAND控制IC廠群聯受惠漲價，2016年營收及獲利均創新高，2017年有機會挑戰賺進3個股本。全力衝刺SSD出貨的群聯、威剛、創見等受惠最大。

集邦指出，2016年第四季主流容量用戶級OEM SSD合約均價近一年來首度大漲，採用MLC規格NAND Flash的SSD價格季漲幅達6～10％，採用TLC規格NAND Flash的SSD部分則上漲6～9％。普遍來看，256GB SSD合約價約來到63～66美元左右。

展望2017年第一季，雖然終端產品實際銷售狀況仍保守，但由於非三星陣營的原廠仍處於3D NAND轉換陣痛期，及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下，預估明年第一季用戶級OEM SSD主流容量合約價仍將持續走升。法人預估均價將達65～70美元。

從用戶級SSD產品介面發展來看，由於大多數OEM大廠從2016下半年起才積極轉進PCIe介面，且通路市場需求仍以SATA III為主，因此SATA III仍是用戶級SSD市場的主流介面規格，PCIe SSD市占率僅2成。然而，隨著PCIe SSD供應商增加，及SSD控制晶片廠推出更具性價比的解決方案後，DRAMeXchange預估2017年PCIe SSD的市場滲透率將有望挑戰30～40％。

3D NAND布局加快

2017年是3D NAND大成長的一年，所以全部的NAND供應商均加快布局。以龍頭大廠三星電子為例，在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領先同業，企業級固態硬碟（SSD）產品更藉出色性價比出貨強勁，3D NAND良率穩定拉升。2017年NAND Flash仍然缺貨，三星營運表現可望更為出色。

SK海力士3D NAND產能在2016年底前將達每月2～3萬片，第三代3D NAND於2017年第一季放量出貨，第四代的3D NAND有機會在2017年下半開始少量生產。

日本東芝產能規畫部分，現有第二半導體廠已全力生產3D NAND，2016年第四季產能達每月4萬片，待2017年64層堆疊的3D NAND順利量產後，產能提升速度將更快，而其第六半導體廠房新建計畫，將從2017年二月開始動工。

威騰電子（WD）收購SanDisk後，64層堆疊的3D NAND正處OEM客戶測試階段，預計2016年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上。

現階段15奈米 2D NAND仍為威騰電子主流製程，良率及成本效益都已達最佳化，因此對利潤提升有很大幫助，2017年威騰電子的NAND Flash位元產出成長率預期將達45％。

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